آي بي إم وسامسونج تكشفان عن تقنية جديدة في مجال أشباه الموصلات

اليوم ، أعلنت كل من آي بي إم «IBM» وسامسونج إلكترونيكس عن تعاون بينهم لتصميم جديد لأشباه الموصلات باستخدام بنية ترانزستور رأسية جديدة ، لديها القدرة على تقليل استخدام الطاقة بنسبة 85٪، وفقا لبيان صادر عن الشركتان.

سلط النقص العالمي في أشباه الموصلات الضوء على الدور الحاسم للاستثمار في بحث وتطوير الرقائق وأهمية الرقائق في كل شيء من الحوسبة إلى الأجهزة إلى أجهزة الاتصالات وأنظمة النقل والبنية التحتية الحيوية. يمكن أن تساعد تقنية الترانزستور العمودي الجديد صناعة أشباه الموصلات على مواصلة رحلتها لتقديم تحسينات كبيرة ، بما في ذلك:

قال الدكتور موكيش خير ، نائب الرئيس ، Hybrid Cloud and Systems ، IBM Research: «يتعلق إعلان التكنولوجيا اليوم بتحدي الاتفاقيات وإعادة التفكير في كيفية استمرارنا في النهوض بالمجتمع وتقديم ابتكارات جديدة تعمل على تحسين الحياة والأعمال وتقليل تأثيرنا على البيئة».  «نظرًا للقيود التي تواجهها الصناعة حاليًا على جبهات متعددة ، تُظهر آي بي إم وسامسونج التزامنا بالابتكار المشترك في تصميم أشباه الموصلات والسعي المشترك لما نسميه” التكنولوجيا الصلبة “».

تاريخياً ، تم صناعة الترانزستورات لتكون مستوية على سطح أشباه الموصلات ، حيث يتدفق التيار الكهربائي بشكل جانبي ، أو من جانب إلى جانب ، من خلالها.  باستخدام ترانزستورات تأثير مجال النقل العمودي الجديدة ، أو VTFET ، نجحت آي بي إم وسامسونج في تنفيذ الترانزستورات التي تم إنشاؤها بشكل عمودي على سطح الشريحة بتدفق تيار عمودي أو صعودًا وهبوطًا.

بشكل عام ، يهدف التصميم الجديد إلى تحسين الأداء مرتين أو تخفيض بنسبة 85 في المائة في استخدام الطاقة. ومن المتوقع أن يتم استخدام هذه الرقائق في منصات الخوادم الخاصة بشركة آي بي إم .  يأتي ذلك في أعقاب الإعلان في عام 2018 عن قيام سامسونج بتصنيع رقائق 7 نانومتر من آي بي إم ، والتي أصبحت متاحة في عائلة خوادم IBM Power10 في وقت سابق من هذا العام.